単極磁場配位を用いたターゲット均一スパッタリング装置の開発

抄録

マグネトロンスパッタリング法は金属薄膜を製膜する方法として、広く用いられている。しかし、そのターゲット使用効率は20%から30%ほどと低い。産業界ではターゲット使用効率の向上が求められている。本研究ではターゲットと基板上に同じ極の磁石を配置し、均一な浸食分布を目指す。実験結果より、考案型は従来型と比較して、半径方向0mmから40mmの範囲で50%から70%に向上した。一方で浸食速度は3分の1ほどと遅かった。また、薄膜厚さでは従来型の3分の2ほどであったが、半径方向40mm以上におけるスパッタ原子製膜の影響が大きいと思われる。基板上の磁場による薄膜への影響が考えられたが、薄膜の抵抗率は両方式ともに同程度の値を示した。