RFマグネトロンスパッタリングによる低抵抗Al添加ZnO膜の作成

抄録

基板の大面積化への対応とプラスチック基板などのフレキシブルな基板への対応が容易と考えられる容量結合プラズマ（Capacitively Coupled Plasma：CCP）を用いたRFマグネトロンスパッタリング(RFMS)による大面積・低融点基板への対応の前段階として、「10-4Ωcm台の抵抗率を有する低抵抗AZOの実現」を研究目的として、成膜を行った。ここでは、RF電力200、240Wにおいての成膜速度、体積抵抗率を報告する。