ICP支援DCマグネトロン放電におけるターゲット近傍での気体温度空間分布の半導体レーザー吸収分光計測

抄録

ICP支援DCマグネトロンスパッタリングでは動作Arガスの加熱による成膜プロセスへの影響が無視できないことが分かっている．本研究では，ICP支援DCマグネトロン放電におけるターゲット近傍Arガス温度の把握を目的として，Littrow型ECDLを用いた吸収分光法によりスパッタ成膜中Ar原子の速度分布関数を計測し，Arガス温度の調査を行った．ICP単独動作時においては空間的に一様な温度となった．また，ターゲットから距離20mmの場所で，ICP支援マグネトロン動作時がICP単独動作時に比べて約30~60K高くなった．気体温度と動作圧力は双関係があり，動作圧力が高くなると気体温度もそれに比例して高くなる．