RFマグネトロンスパッタによる低抵抗AZO膜の室温成膜

抄録

RFMSにより、10-4Ωcm台の抵抗率を有するAZO膜を基板全体に均一に成膜することを目標として成膜実験を行った。低融点基板への成膜を考え、基板加熱なしで10-4Ωcm台の抵抗率を基板全体に成膜するプロセス開発を行った。まず、基板をターゲットに対して垂直に設置し成膜した。その結果、基板加熱無しで最小抵抗率4.4×10-4Ωcmを得た。しかし抵抗率の不均一性が大きかった。次に均一性改善のため、基板をターゲットに対して45°傾斜させて設置し成膜を行った。その結果、最小抵抗率が1.9×10-3Ωcm であるが、基板面内の抵抗率均一性は大幅に改善された。さらに成膜後加熱を行うこと基板面内の抵抗率は全体的に低下し、最小抵抗率9.6×10-4Ωcmを得た。