マルチホロー放電プラズマCVDによるSi量子ドットの作製と新太陽電池への応用研究

抄録

量子ドットは多重励起子生成の特性を基にして太陽電池分野で非常に注目されている。一つのフォトンから2つ以上の電子を生成することにより、太陽電池の理論上効率は約11%が増加した。本研究ではシリコン量子ドットの太陽電池への適用を研究した。毒性と希少性のカドミウム、鉛系の従来量子ドット材料とは異なり、シリコン量子ドットは非毒性と豊かさの長所がある。マルチホロー放電プラズマCVD法によって作製されたシリコン量子ドットは粒子のサイズによるバンドギャップの変化を通じて明確な量子効果を示した。本研究ではこれを基にしてシリコン量子ドットを増感太陽電池に適用して、光電特性を検証した。