MBEによるZnTe/ZnMnTeのエピタキシャル成長でのPL効果の検討

抄録

II‐VI族磁性半導体は発光を示すことが知られている。II‐VI族磁性半導体ZnTeでのエネルギーバンドギャップの2族磁性元素Mn濃度依存性を示す。ZnTeのバンドエネルギーは2.33eVである。将来緑色LDの発光として注目されている。そこで我々はMBE装置を用いてZnTe/ZnMnTeそれぞれ単層膜の作成を行いフォトルミネセンス効果について得られたことを報告します。