抄録
直接遷移型のバンド構造を有し，室温でのバンドギャップが2.26eVであるZnTeは，緑色発光素子，太陽電池等への応用が期待されている半導体材料である．近年，マルチバンドギャップ半導体ZnTe1-xOx(x<0.05)を用いた中間バンド型太陽電池実現の可能性が示された．同材料をZnTe基板上に成長する場合，ZnTeOの格子定数がZnTeより小さいため，高品質なエピタキシャル成長層を得ることが困難となっている．本研究では，この格子不整合を緩和するためにZn1-xCdxTe1-yOy混晶に着目し，まずはMBE法による成長条件と作製した薄膜の物性との関係を明らかにした．
