抄録
集積化,大電流動作された照明用LEDでは,ジャンクション部の温度上昇がもたらす効率及び寿命の著しい低下,動作の不安定化が大きな課題である.そのため照明用LED開発では,発光中LEDのジャンクション部の温度測定を基にしたデバイス全体の放熱設計が最重要である.しかしながら,その直接測定はできておらず,標準的な温度計測技術の開発が切望されている.本研究ではパルスレーザーラマン散乱法を用いて,外乱光に強く,リモート計測可能な発光中LEDの温度計測システムを開発した.今回,GaN-E2Hのラマンシフトの温度依存性を観測し,発光中LEDのジャンクション部の温度計測に成功したので報告する.