成膜領域へのマルチホロー放電プラズマの拡散に対する電極構造の影響

抄録

光安定かつ高発電効率の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)太陽電池を実現するために，成膜領域へのマルチホロー放電プラズマの拡散に対する電極構造の影響を調べた．製膜領域へのプラズマ拡散を抑制するため，3種類の電極構造を比較した．それらは，構造1) 1mm厚の接地電極, 構造2) メッシュを装着した1mm厚の接地電極，構造3) 10mm厚グランド電極である．構造3),2),1)の順に製膜領域へのプラズマの拡散が抑制される．Si-H2結合量は，構造1)では13.48at.%，構造2)では2.19at.%，構造3) では1.23at.%である．以上のように，10mm厚グランド電極を用いると，製膜領域へのプラズマの拡散を最も抑制でき，膜中へのクラスタ取り込みが抑制されることが明らかになった．