高移動度アモルファスIn₂O₃:Sn薄膜作製におけるN₂/Arスパッタリングプラズマ中の窒素原子絶対密度計測

抄録

高い表面平坦性や均一性といった優位性から，アモルファスITO(a-ITO)を用いた透明導電膜が近年注目されている．我々はN2/Arスパッタリング法を用いて高移動度a-ITO膜の作製に成功した．本研究では，ITO薄膜の成長過程における窒素の影響を調べるため，N2/Arプラズマ中の窒素原子の絶対密度計測を行った．N2流量比を3から5%に変化させたとき，プラズマ中の窒素原子密度は3.7×10¹⁰から7.4×10¹⁰ cm^-3に単調に増加することがわかった．このときa-ITO膜のキャリア移動度は48から55 cm²/Vsに増加した．一方，膜中の窒素濃度は殆ど一定であったため，上述のキャリア移動度の変化は，成長表面における窒素原子の吸着・脱離反応の変化によるものと考えられる．