抄録
従来、Siベースのパワーデバイスが多く用いられているが、次世代パワーデバイスとしてSiC材料が注目されている。本研究ではIGBTおよびSiC-MOSFETを用いて2種類のパルスパワー電源用のスイッチングモジュールを作製しその性能比較を行った。 スイッチングモジュールの両端の電圧と電流を測定し、IGBTとSiC-MOSFETのスイッチング損失を比較した。測定にあたっては、磁気アシストを使用した場合とそうでない場合の両方で行った。 IGBTでは磁気アシストの有無による損失に違いがみられたが、SiC-MOSFETでは違いがあまりみられなかった。磁気アシストを用いない場合、SiC-MOSFETのほうが損失が少ないという結果となった。
