抄録
近年、半導体ナノワイヤ(NWs)と呼ばれる1次元細線構造が、高機能デバイスへの応用に向けて注目を集めている。我々は、原料ガス断続供給法を用いて、Si基板上にGaAs-NWsの作製を行っている。本研究では、成長温度がNWs成長に与える影響を明らかにするために、成長温度を480～540℃の間で変化させ、NWs形状を走査型電子顕微鏡により、及び光学特性を17～290 Kの範囲のフォトルミネッセンス(PL)測定により評価した。成長温度が高いほどNWsは基板垂直方向に成長した。成長温度が異なるとPLスペクトルが変化した。高温成長では室温まで観測でき、結晶性が向上した。また、各成長温度において、バンド端近傍で不純物を介した準位からのPLが見られた。
