抄録
MEMS技術への応用を鑑み，数10μm/hの成膜速度を有するPLD(Pulsed Laser Deposition)法を用い，Si基板上への等方性Nd-Fe-B系磁石膜の成膜を試みた。Si基板とNd-Fe-B系磁石膜は，成膜もしくは熱処理時の熱膨張・熱収縮の差を通じての界面や試料・基板内への応力を起源とする試料の機械的な破壊が生じる事が知られている。本稿では，Si基板上の熱酸化膜が磁石膜の基板への密着性に及ぼす影響を検討するとともに，熱処理後の試料に対し微細加工を施した結果についても報告する。
