抄録
強誘電体材料を用いたFeRAMは次世代型記憶メモリとして期待がされている。これを実現するにはより高品質な強誘電体材料の作製が必要である。 本研究ではFeRAM材料であるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を、改良型のスパッタリング法で作製した。特に作製する際のスパッタ条件を変化させPbTiO3ナノ結晶の結晶性や表面構造、構成成分の解析を行った。 結果として、スパッタ条件変化によるPb、Tiの組成変化が確認でき、サファイア単結晶の基板上にエピタキシャル成長をしたPbTiO3ナノ結晶薄膜が得られた。さらにサファイアの基板上に規則性を持って自己組織的に配列した針状結晶が確認された。