抄録
近年SiC，GaNなどの次世代半導体が注目を集めており，それらを使用したパワーモジュールの性能は向上しているが，使用される絶縁材料は高電圧ストレスに曝されるため，適切な絶縁設計を行う必要がある。そこで著者らは，エポキシ樹脂によってモールドされた絶縁セラミックス基板に長期課電を行い，絶縁破壊時までの経時的な放電電荷量の推移を評価した。その結果，9 kVrmsの電圧を印加した場合には3 pC-10 pCの放電電荷量は維持され，0.2時間で絶縁破壊に至った。しかし， 7 kVrmsの電圧を印加した場合には課電開始初期に測定された電荷量は減少し，長時間絶縁破壊を起こさず，異なる電圧条件下で部分放電特性が変化することを評価した。
