THzデバイス応用のためのMOVPE法による(0001)α-Al₂O₃基板上へのZnTe単結晶の成長

抄録

未開拓電磁波ともいわれるTHz波は，通信から医療まで幅広い分野での応用性があり注目されている．本研究では，高性能なTHzデバイスの作製を目的とする研究の一環として，電気光学結晶材料であるZnTeに注目し，大面積単結晶薄膜成長が可能な有機金属気相成長法（MOVPE）によるc面サファイア基板上への高品質ZnTe単結晶薄膜の成長を試み，従来の基板温度依存性に加え，圧力及び原料供給量が成長薄膜に与える影響を調べる．得られた試料は，X線回折測定，レーザーラマン分光測定及び原子間力顕微鏡観察により評価した．