減圧有機金属気相成長法により作製されたAs-grownとアニール処理後の燐ドープZnTe膜の電気的光学的性質

抄録

ZnTeは2.26eVのバンドギャップをもつ直接遷移型半導体であり，緑色LEDの有望な材料である。これまで，膜厚制御に有利で量産化に適した成長法として減圧有機金属化学気相法に注目して，高品質なZnTe膜の作製条件を探ると共に一部燐ドープZnTeエピ膜の特性を評価してきた。そこで，本研究では減圧有機金属化学気相法による燐ドープZnTeエピ膜の特性評価を幅広く行うことで，As-grownとアニール処理後のZnTeエピ膜の電気的光学的性質のドーパント供給量や反応室圧力の依存性を明瞭にしようとした。また，本研究により，10¹⁹cm^-3台の高キャリア密度のp型ZnTe膜を得ることができた。