減圧有機金属気相法による4元混晶半導体Zn_1-xMg_xSe_yTe_1-y膜の組成制御と結晶評価

抄録

ZnTeを用いた緑色LEDの高効率化のためには，ZnTeに適したクラッド層材料となり，かつZnTeと格子整合可能と期待される4元混晶半導体Zn_1-xMg_xSe_yTe_1-yの開発が不可欠である。本研究では、膜厚制御に有利で量産化に適した成長法として減圧有機金属化学気相法に注目して，Mgの原料供給量を変えることにより，ZnMgSeTe膜のMg組成や表面形態，表面粗さ，ラマンピークの振る舞いを明らかにした。また，Mgの原料供給量によってZnMgSeTe膜のMg組成制御が制御できることを実証し，ZnTeとの格子整合を達成するための成長条件を確立できた。更に，その条件でZnMgSeTe膜の表面粗さが最小となることを示した。