有機金属化学気相法により作製された燐ドープZn_1-xMg_xSe_yTe_1-y膜のアニール処理効果

抄録

有機金属化学気相法により作製された燐ドープのZnTeやZn_1-xMg_xTe膜はアニール処理によってキャリア密度が向上し、不純物の活性化に有効であることを以前明らかにしている。そこで，本研究では，減圧有機金属化学気相法を用いて作製された燐ドープZn_1-xMg_xSe_yTe_1-y膜に対してアニール処理がキャリア密度の向上に有効であるか否かを検討した。アニール処理温度と燐ドープZnMgSeTe膜の電気的性質との関係を明らかにすることにより，アニール処理がキャリア密度の向上に有効であり、最適アニール処理温度を決定できた。その結果，10¹⁸cm^-3台の高キャリア密度のp型ZnMgSeTe膜を得ることができた。