ガラス下地層を利用した異なる厚みのSi基板上へのNd-Fe-B系厚膜磁石の作製

抄録

MEMS応用を鑑みた「Si基板上の厚膜磁石」の開発が期待されている中，スパッタリング法によるNd-Fe-B系磁石膜の作製では，優れた磁気特性は示す一方で，最大の厚みは20 µm程度であり，様々な応用を鑑みると更なる厚膜化が望まれている。本研究室では、PLD（Pulsed Laser Deposition）法を用い，Nd元素の線膨張係数がNd2Fe14BとSiの間の値である事に着目し，化学量論組成に比べ大幅にNd元素を増加させる事で，725 μm厚のSi基板上に160 µmまでのNd-Fe-B系磁石膜の厚膜化を最近達成した。本報告では，希土類元素（Nd）の資源的リスクの回避を目的とし，Ndとほぼ同程度の線膨張係数を有するガラスを下地層としたSi基板上へのNd-Fe-B系磁石膜の作製に取り組むと共に，薄手Si基板への成膜も検討した。