IrMnを挿入したY₃Fe₅O₁₂/Ptのスピンゼーベック効果とスピンホール磁気抵抗効果

抄録

Y₃Fe₅O₁₂（YIG）/IrMn/Pt積層構造において、スピン流に基づく2つの現象であるスピンゼーベック効果とスピンホール磁気抵抗効果のIrMn膜厚依存性を調べた。ともにIrMnを0.3nm~0.6nm挿入すると値が増加し、さらに1nmまで厚くすると減少した。界面1～2原子層による効果であることから、いずれもYIGとPtの間のスピンポンピングを示すスピンミキシングコンダクタンスが、IrMn挿入によりエンハンスされたものと考えられる。