次世代無線通信に向けた高線形・高バックオフ効率CMOSパワーアンプの設計

抄録

近年、モバイルデータトラフィックの量が劇的に増加している。第5世代（5G）以降の次世代移動通信システムは、トラフィック量の増加による通信混雑・容量の飽和等を解決する通信方式として期待されている。一方、5G 以降の複雑な変調方式を持つ通信方式では、平均信号とピーク信号の比率（PAPR）が大きく、ピーク時にはパワーアンプ（PA）の飽和領域に達してしまうため、信号の線形増幅が難しくなる。そのため、PAの高線形化・飽和領域より低い入力電力での効率（バックオフ効率）向上が重要となる。本研究では、コスト面で優れるCMOS 180nmプロセスにおいて、高Q値で低損失なインダクタを用いて、高線形性・高バックオフ効率のPAの設計を行った。