原著
半導体レーザー（1.48 μm infrared diode laser）によるlaser assisted hatching（LAH）の効果と臨床成績―OCTAX Laser Shot systemを使用して―
2005 年 22 巻 4 号 p. 227-230
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2005 年 22 巻 4 号 p. 227-230
Laser assisted hatching（LAH）をヒト胚に施行して，その後の発育ならびにhatchingに及ぼす影響について検討した．半導体レーザー（1.48 μm infrared diode laser）を使用するOCTAX Laser Shot systemにより行なった．IVFあるいはICSIにより得られた比較的良好なDay3胚のうち，胚移植が行われなかった余剰胚を患者の同意のもとに使用した．レーザーによる透明帯開孔を行なったものをLAH群，無処理のものをcontrol群とした．6～8細胞期胚にLAHを施行した後5日間培養を継続し，それぞれの群における胚盤胞形成率およびhatched胚盤胞率を検討した．胚盤胞形成率はLAH群37.5％（9/24），control群42.1％（8/19）であり，2群間で有意差は認めなかった．hatched胚盤胞率はLAH群88.9％（8/9），control群12.5％（1/8）であり，LAH群において有意に高かった（P＜0.01）．LAHは胚発育に影響を及ぼすことなくhatchingを促進すると思われた．LAHを施行して5例の妊娠が得られ，4例（単胎3例，双胎1例）が出産した．児は異常無く順調に発育している．LAH施行例における妊娠，出産の報告は本邦では初めてと思われる．
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