スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移に関する考察 –遷移臨界条件-

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-E8-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1306

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移に関する考察 –遷移臨界条件-

山口凜太郎, 金剛弘卓, *呂鴻飛, 佐藤伸吾, 大村泰久, 中村和広

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キーワード: 19p-E8-2, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 絶縁膜破壊, 抵抗変化メモリ

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