GaNヘテロ接合MIS-FETのノーマリオフ動作

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14a-P6-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2853

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

GaNヘテロ接合MIS-FETのノーマリオフ動作

*南條拓真, 林田哲郎, 小山英寿, 今井章文, 柳生栄治, 古川彰彦, 山向幹雄

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キーワード: 14a-P6-14, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化物半導体, パワーデバイス, ノーマリオフ

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