4H-SiC/SiO<sub>2</sub>界面O<sub>2</sub>酸化の第一原理シミュレーション～SiC(0001)Si面と(000-1)C面の違い～

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-P9-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3247

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

4H-SiC/SiO₂界面O₂酸化の第一原理シミュレーション～SiC(0001)Si面と(000-1)C面の違い～

*山崎隆浩, 田島暢夫, 金子智昭, 奈良純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野隆央

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キーワード: 14p-P9-11, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, 炭化珪素, 酸化, 第一原理分子動力学法

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