半導体デバイス製造におけるリソグラフィプロセスやＣＭＰプロセスにおいて，ウェーハエッジ領域近傍まで均一な処理を行なうためには，シリコンウェーハのエッジロールオフをより小さくすることが必須となる．そこで，シリコンウェーハ製造時のCMPプロセスにおいて，エッジロールオフの指標であるロールオフ量（Roll Off Amount: ROA）を小さくする方法のひとつとしてエッジ形状の最適化を提案した．また，両面研磨と片面研磨の研磨レート分布がウェーハ表面の面圧分布のみに比例すると仮定し，FEM解析を用いた面圧分布計算によりウェーハエッジ領域近傍における面圧分布を評価した．その結果，両面研磨，片面研磨のどちらにおいても，エッジ幅（edge width）が小さいほどROAを小さくできることがわかった．また，これは研磨パッドのヤング率が1～15MPaの間ではヤング率によらないこと，さらには両面研磨においてキャリア厚さがウェーハ厚さ以下の場合にはキャリア厚さによらないことがわかった．
