EEM (Elastic Emission Machining)による4H-SiC(0001)表面の平滑化

久保田 章亀; 三村 秀和; 佐野 泰久; 山村 和也; 山内 和人; 森 勇藏

doi:10.2493/jspe.71.477

論文

EEM (Elastic Emission Machining)による4H-SiC(0001)表面の平滑化

久保田章亀, 三村秀和, 佐野泰久, 山村和也, 山内和人, 森勇藏

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ジャーナルフリー

2005 年 71 巻 4 号 p. 477-480

DOI https://doi.org/10.2493/jspe.71.477

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抄録

高硬度かつ化学的に安定である4H-SiC (0001) 表面に対して, EEMによる加工を試みた. その結果, 前加工表面に存在する無数の研磨痕が完全に除去され, 表面粗さが0.1nm (RMS) 以下 (測定領域2μm×2μm) で, 結晶学的な原子配列に乱れのない超平滑表面が得られることを示した.

責任著者(Corresponding author)

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