とぴっくす：　グロー放電法によるかご型シルセスキオキサンへの水素原子の包接

抄録

かご型オクタシルセスキオキサン（(RSiO_3/2)8, R=H, CH₃, i-butyl, etc.）の粉末試料をグロー放電の雰囲気にさらすと，かご型骨格内に水素原子が包接されることを見出した。 (CH₃SiO_3/2)₈への4分間の放電で得られる包接率は，単位かご当たり1.3 x 10^-4であった。この値は，これまでに報告されているγ線（⁶⁰Co）照射法で約300 kGy（通常，2日間以上の連続照射が必要）を照射したときの包接率に相当する。グロー放電処理は極めて簡単な方法であるにもかかわらず、包接反応を短時間で効率よく引き起こすことができる。