かご型オクタシルセスキオキサン((RSiO
3/2)8, R=H, CH
3,
i-butyl, etc.)の粉末試料をグロー放電の雰囲気にさらすと,かご型骨格内に水素原子が包接されることを見出した。 (CH
3SiO
3/2)
8への4分間の放電で得られる包接率は,単位かご当たり1.3 x 10
-4であった。この値は,これまでに報告されているγ線(
60Co)照射法で約300 kGy(通常,2日間以上の連続照射が必要)を照射したときの包接率に相当する。グロー放電処理は極めて簡単な方法であるにもかかわらず、包接反応を短時間で効率よく引き起こすことができる。
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