半導体レーザ照射によるチタン酸バリウム薄膜の誘電特性向上

抄録

電子機器の小型化とともに実装基板の高集積化が要求されており、基板上に微細電子部品としてチタン酸バリウム（ＢＴＯ）薄膜でコンデンサーを形成することが考えられている。その際にはＢＴＯ薄膜の誘電特性向上のために薄膜へのアニーリングが必要とされており、基板を加熱損傷することなく薄膜だけを加熱する精細アニーリング技術が要求されている。半導体レーザの楕円形ビームを用いることにより薄膜のみを加熱することで炉加熱と同等のアニーリング効果が実現できたことを報告する。