マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集
Online ISSN : 2434-396X
第21回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
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第21回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
SiCデバイスの特長を活かす高パワー密度、高信頼性を実現するパワーモジュール構造
*梨子田 典弘, 堀尾 真史, 飯塚 祐二, 日向 裕一郎, 中村 揺子, 池田 良成
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p. 233-236

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© 2011 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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