マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集
Online ISSN : 2434-396X
第27回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
会議情報

主催: 一般社団法人エレクトロニクス実装学会

第27回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
ICTS/DLTS法によるGaN系HEMTの電流コラプス現象の温度依存性
*赤堀 一登, 大嶽 晃慶, 中野 颯也, 久瀬 雷矢, 山中 公博, 田口 博久
著者情報
会議録・要旨集 フリー

p. 331-334

詳細
PDFをダウンロード (620K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2017 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top