解説
Si/SiGeへテロ構造を用いたMOSデバイス技術
2003 年 72 巻 3 号 p. 284-290
詳細
2003 年 72 巻 3 号 p. 284-290
今後の高機能Si LSIを実現するうえで引き続き重要であり続けているMOSFETの性能向上は，これまで素子寸法の比例縮小（スケーリング）により達成されてきた．しかしながら，微細化に伴う種々の物理限界要因により，スケーリングのみでの性能向上は困難になってきている．この問題を克服するため，最近，MOSFETのチャネルとして，Si/SiGe系材料とへテロ接合を用いることによる高移動度化が有効な手段と考えられるようになってきている．今後のMOSデバイス技術をけん引していく可能性のある，このSi/SiGe系MOSFETのコンセプト，デバイス構造，作製方法，電気特性などについて，デバイス実現のカギとなる基板作製技術とともに紹介する．
