Si基板上へのGaAs系およびGaN系結晶のへテロエピタキシーとデバイス応用

応用物理

Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009

総合報告

Si基板上へのGaAs系およびGaN系結晶のへテロエピタキシーとデバイス応用

梅野正義, 神保孝志, 江川孝志

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ジャーナルフリー

2003 年 72 巻 3 号 p. 273-283

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu.72.3_273

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抄録

シリコン(Si)基板上へのGaAs系およびGaN系半導体のヘテロエピタキシーに関するこれまでの研究成果を総合的にまとめた．InPなど類似の結晶の研究についても簡単に紹介し，発光ダイオード，レーザー，太陽電池，電界効果トランジスタなどのデバイス応用，実用化にあたっての課題について論じた．

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© 2003 公益社団法人応用物理学会

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