解説
X線マイクロビームを用いた局所領域微量ひずみの検出
2003 年 72 巻 5 号 p. 557-564
詳細
2003 年 72 巻 5 号 p. 557-564
半導体結晶は，結晶成長，あるいはデバイスプロセスにおいて，結晶表面近傍に働くさまざまな応力によって局所的なひずみが発生する．これらの局所ひずみを高精度に検出するために，放射光を光源としたX線マイクロビームをいくつかの手法，すなわち，結晶の非対称反射，ゾーンプレート，湾曲円筒ミラーなどの光学素子を使ったX線マイクロビーム形成法と，それらを使って，SiO2膜終端部のSi，SOI結晶基板，InGaAsP半導体レーザーのストライプ部などの局所ひずみ分布を，ビーム走査によるロッキングカーブ測定やアナライザー結晶を加えた逆格子マップ測定した解析結果などをまとめて報告する．
