解説
InNおよびInGaNの結晶成長と構造および特性の評価
2003 年 72 巻 5 号 p. 565-571
詳細
2003 年 72 巻 5 号 p. 565-571
InNは III 族窒化物半導体の中で最も禁制帯幅が狭く，光や電子デバイス用材料として新しい応用が期待されてきたが，結晶成長が難しく，その研究は最も遅れていた．近年，エピタキシャル成長技術の進展により，比較的高品質の結晶が得られるようになり，その禁制帯幅が，従来考えられていた1.9eVよりはるかに小さい0.7〜0.8eVにあるのではないかという指摘が相次いでなされ，注目を集めている．本解説では，InNとInGaNのRF-MBE成長技術の最近の進展と，結晶学的，光学的，電気的特性の評価結果を紹介し，真の禁制帯幅について議論を行う．
