日立金属(株)先端エレクトロニクス研究所
2003 年 72 巻 5 号 p. 596-599
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反強磁性/強磁性積層膜における交換結合バイアスについて,古典ハイゼンベルグ模型に基づく数値模型を提案し,交換結合バイアスの発生機構について考察した.モンテカルロ法によってL10規則型および γ-不規則型反強磁性合金のスピン構造を決定し,積層膜の磁化曲線をランダウ・リフシッツ運動方程式を用いて計算した.その結果,積層された反強磁性膜のスピン構造と積層界面のスピン配列によってバイアス発生の有無が決定されることが示された.
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