総合報告
ワイドギャップ半導体高周波電子デバイス研究の現状と今後の展開
2004 年 73 巻 3 号 p. 315-326
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2004 年 73 巻 3 号 p. 315-326
高出力高周波デバイスは，情報化社会のネットワーク基盤であるワイヤレス通信システムを支えるキーデバイスである．GaNやSiCなどを用いたワイドギャップ半導体電子デバイスは，その材料特性から高出力高周波デバイスとして大きな期待があり，本稿ではこれらワイドギャップ半導体高周波デバイスの応用分野，現在の開発現状，および今後の課題について解説する．
