解説
窒化物半導体電子デバイスにおける輸送特性
2004 年 73 巻 3 号 p. 327-332
詳細
2004 年 73 巻 3 号 p. 327-332
AlGaN/GaNヘテロ接合の分極電荷と電子速度の電界依存性について概説するとともに，HEMTチャネル内の実効電子速度を遅延時間解析により求め，その温度依存性を明らかにした．また，高電界印加時に生ずる現象としてオフ耐圧・EL発光と電流コラプスについて詳細に検討し，そのメカニズムを明らかにした．
