本稿では,LSI製造およびナノ加工への応用のためのX線リソグラフィー(PXL)とりわけシンクロトロン放射光を利用したSRリソグラフィーと極短紫外線リソグラフィー(EUVL)の現状と将来展望について概説する.SRリソグラフィーでは幅広い要素技術が開発されサブ100nm LSIの試作を通して技術実証がなされたものの,工業化への道は遠のいてしまっている.しかしながら,X線リソグラフィー技術はその特長を生かすことにより,近い将来のナノテクノロジーの分野で有効に活用できるものとして期待される.一方,極短紫外線リソグラフィーはLSI製造用の次世代リソグラフィーとして期待されており,日米欧でコンソーシアムが中心となって要素技術の開発を精力的に進めている.この技術がメジャーになるためには,量産技術の開発時期と性能が世の中の要求に見合うものであるかということと経済性の検証が重要となる.