研究紹介
レーザービームによる半導体表面原子結合の局所的切断
2004 年 73 巻 4 号 p. 485-489
詳細
2004 年 73 巻 4 号 p. 485-489
半導体表面に溶融しきい値より十分小さい強度のパルスレーザー光を照射すると，表面原子結合が電子的に切断され，表面原子の脱離や空格子点の生成・成長が誘起される．この電子的結合切断の効率は，励起強度に対して非線形であるとともに，励起光の波長に強く依存する．本稿では，Si(001)-(2×1)表面における実験結果に基づき，半導体表面での電子的結合切断現象の特徴を明らかにするとともに，その電子的機構を議論する．
