シリコンパワーデバイスの性能限界

抄録

シリコンを半導体材料として適用するパワーデバイスが発展してきた歴史の中から，代表的なデバイスであるIGBTおよびGTOについて述べる．パワーエレクトロニクス応用において，最も重要な電力損失の低減に有効な，オン電圧特性の改善や，メガパワー応用装置用に要求されてきたデバイスの高耐圧化について，素子モデルや原理などを簡単に記述する．