応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
シリコンパワーデバイスの性能限界
マジュムダール ゴーラブ
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2005 年 74 巻 1 号 p. 65-70

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抄録

シリコンを半導体材料として適用するパワーデバイスが発展してきた歴史の中から,代表的なデバイスであるIGBTおよびGTOについて述べる.パワーエレクトロニクス応用において,最も重要な電力損失の低減に有効な,オン電圧特性の改善や,メガパワー応用装置用に要求されてきたデバイスの高耐圧化について,素子モデルや原理などを簡単に記述する.

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© 2005 公益社団法人応用物理学会
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