応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
SiCパワーデバイス技術
四戸 孝
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ジャーナル 認証あり

2005 年 74 巻 4 号 p. 506-511

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抄録

炭化ケイ素(SiC)はSiの約10倍の絶縁破壊電界強度(Ec)をもち,高耐圧・低損失の次世代パワーデバイス材料として期待されている.すでにSBD(Schottky Barrier Diode)が製品化されて電源に組み込まれ始めており,スイッチングデバイスの研究開発も多くの研究機関や企業で活発に行われている.本稿では,SiCパワーデバイス設計の基礎技術について述べた後,パワーデバイス研究開発の現状について紹介する.

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© 2005 公益社団法人応用物理学会
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