解説
アモルファス酸化物半導体を能動層とする透明フレキシブルトランジスタ
2005 年 74 巻 7 号 p. 910-916
詳細
2005 年 74 巻 7 号 p. 910-916
イオン性の高い結合で構成される透明アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-Oを能動層に用いた薄膜トランジスタを室温でPETフィルム上に成膜することで作製すると，約10cm2/Vsという電界効果移動度が得られる．本稿では，イオン性アモルファス酸化物半導体の他のアモルファス半導体にはみられないユニークな特徴とその物質設計を概説するとともに，それを用いたフレキシブルトランジスタの作製と特性について解説する．
