研究紹介
遷移金属酸化物単結晶への電界効果ドーピング
2005 年 74 巻 7 号 p. 944-949
詳細
2005 年 74 巻 7 号 p. 944-949
物質に静電場を印加すると，界面に電荷が出現する．これを利用して，元素置換を伴わないキャリアドーピングを行おうというのが，電界効果ドーピング(Electrostatic Carrier Doping：ESD)である．現在，ESDによって遷移金属酸化物単結晶のキャリア濃度を連続的・可逆的に制御しようという野心的試みが進行している．狙うは量子臨界点付近の物性探索である．
