極薄シリコン酸窒化膜欠陥の微視的構造の評価

抄録

微細化の進む先端シリコンLSIの極薄ゲート絶縁膜には，従来のシリコン酸化膜に代わってシリコン酸窒化膜が用いられている．MOSFETの電気特性や信頼性はシリコン酸窒化膜の成膜プロセスや窒素濃度の膜中分布に影響されており，極薄シリコン酸窒化膜をいっそう高品質なものにするため，窒素が絶縁膜/Si界面と絶縁膜中の欠陥に与える微視的な影響の解明が必要である．本稿では，極薄シリコン酸窒化膜のもつ欠陥の構造を電子スピン共鳴法によって解析した結果を紹介する．