DC熱プラズマジェットを用いた超急速熱処理による非晶質シリコン膜の結晶化とそのTFT応用

抄録

次世代大面積エレクトロニクスを支えるプロセス技術として，従来にない新しい短時間熱処理技術が強く求められている．本稿では，大気圧下で発生した熱プラズマジェット照射によるミリ秒超急速熱処理技術について紹介する．レーザー光を用いたミリ秒時間分解能非接触温度測定技術，非晶質シリコン膜のミリ秒時間における相変化過程について述べ，結晶化したシリコン膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)の性能について紹介する．