低消費電力 完全空乏型SOI-MOSFETの現状と展望

抄録

FD-SOI CMOSは，その急峻なオフ特性から超低消費電力LSIのキーデバイスとして期待されている．また，MOSFET微細化の究極解としても精力的に研究が進められている．ただ，IBMの実用化発表以来，プロセッサーへの応用を中心に実用化が進展しているPD -SOIに比べて，FD-SOIの実用化の事例は少ない．ここでは，実際に製品に適用されている技術を例に，FD-SOIデバイス技術の現状を述べる．また，製品応用の中でFD-SOIの特徴がどう使われたかを概観する．さらに，今後応用を拡大するための回路技術への期待，FD-SOIの特徴である低リーク電流を維持する実用的なデバイス技術，FD-SOIデバイスの将来展望を述べる．