産業技術総合研究所 超高速光信号処理デバイス研究ラボ
2007 年 76 巻 3 号 p. 291-295
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超高速全光スイッチとして,量子井戸のサブバンド間遷移を用いたスイッチの研究開発を進めている.通信の波長帯である1.55μm帯でのサブバンド間遷移スイッチを実現するには,深い量子井戸でかつ数nmの超薄膜量子井戸を用いる必要がある.ここでは,筆者らが開発を進めている,III-V族のInGaAs/AlAs/AlAsSb,II-VI族のCdS/ZnSe/BeTeの材料系の量子井戸を用いたサブバンド間遷移スイッチについて,開発の現状と課題について報告する.
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